中芯國際從2019年四季度開始量產(chǎn)14nm,正處于產(chǎn)能爬坡期;在更先進(jìn)制程的規(guī)劃上,N+1研發(fā)進(jìn)程穩(wěn)定,已進(jìn)入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認(rèn)證階段,中芯的N+1工藝相比較臺(tái)積電的7nm性能稍弱;N+2工藝能接近主流的7nm水平,中芯計(jì)劃于今年第四季度進(jìn)行FinFET 7nm的初始生產(chǎn),但量產(chǎn)計(jì)劃還未公布。
梁孟松表示,“7nm作為其14nm工藝的繼任者,其性能提高了20%,功耗降低了57%。它將邏輯面積減少63%,SoC面積減少55%,密度是14nm的兩倍以上?!彪m然中芯國際的14nm工藝相比臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)華電子等主要競爭對(duì)手晚了2-4年,但是在7nm工藝的進(jìn)度較快,正在實(shí)現(xiàn)追趕。
與此同時(shí),聯(lián)華電子、格羅方德宣布相繼退出12nm以下先進(jìn)工藝市場,據(jù)業(yè)內(nèi)分析,接下來中芯國際對(duì)這兩家的超越是完全可以實(shí)現(xiàn)的,如果不把三星看做專門的代工廠,那么未來在7nm以下先進(jìn)工藝市場的角逐上,只剩下臺(tái)積電和中芯國際兩家。
相比身處美國、臺(tái)灣地區(qū)的競爭對(duì)手,中芯國際正在把這場危機(jī)化為機(jī)遇。
首先,中國是芯片市場需求大國,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多年發(fā)展逐步完善,也不乏優(yōu)秀的IC設(shè)計(jì)公司。隨著中美貿(mào)易摩擦的加劇,越來越多的代工訂單轉(zhuǎn)到了中國大陸,這其中華為也更加傾向于選擇并扶植大陸的合作伙伴。

根據(jù)《電子時(shí)報(bào)》1月份的報(bào)道,中芯國際擊敗臺(tái)積電,奪得華為海思半導(dǎo)體的14納米FinFET工藝芯片制造訂單。

榮耀Play4T中芯國際20周年定制版
今年5月,中芯國際定制版榮耀Play4T在媒體曝光,其特別之處在于背面的logo——SMIC 20,以及一行文字標(biāo)注:Powered by SMIC FinFET,顯示著這款手機(jī)的海思麒麟710A處理器,采用的正是中芯國際(SMIC)14nm制程代工。
其中,12英寸芯片SN1項(xiàng)目,正是用于滿足建設(shè)1條月產(chǎn)能3.5萬片的12英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目的部分資金需求,將生產(chǎn)技術(shù)水平提升至14nm及以下,來進(jìn)一步滿足客戶的需求。
對(duì)于7nm或更先進(jìn)的工藝,梁孟松曾表示,“中芯國際無需EUV就能達(dá)成7nm,當(dāng)然后續(xù)的5nm、3nm是必須要有EUV的?!彪m然無法引進(jìn)更為先進(jìn)的EUV光刻機(jī),但這也為中芯國際在短時(shí)間內(nèi),利用現(xiàn)有設(shè)備實(shí)現(xiàn)從14nm推進(jìn)到7nm工藝制程并逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),贏得了一個(gè)難得的喘息和發(fā)展的時(shí)間差。
在技術(shù)層面上,依然存在不確定性,一旦臺(tái)積電遇到工藝制程陷阱或者技術(shù)分水嶺,中芯國際作為跟隨者,市場格局很有可能發(fā)生變化。
2014年,臺(tái)積電制程工藝升級(jí)至20nm,并為高通代工驍龍810解決方案。不過該方案內(nèi)核架構(gòu)過分關(guān)注提升性能,導(dǎo)致整機(jī)嚴(yán)重發(fā)熱,深陷工藝制程陷阱,最終造就了高通“火龍?zhí)幚砥鳌钡暮跉v史。臺(tái)積電被迫加快工藝升級(jí)進(jìn)度,經(jīng)過2015與2016年兩次技術(shù)迭代才擺脫陰影。
目前,很難預(yù)判哪個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)將成為新的陷阱。因此,對(duì)臺(tái)積電而言,犯錯(cuò)比減速更加不可接受,這也為中芯國際的追趕爭取更多時(shí)間。
路漫漫其修遠(yuǎn)兮,吾將上下而求索?!奥浜缶鸵ご颉钡牡览?,從古至今從來不會(huì)改變。中國的芯片之路仍需不懈努力,還有很長的路要走。